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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

总分
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

总分
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 49
    左右 43% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 10.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 8.3
    测试中的平均数值
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 49
  • 读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 10.5
  • 写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 8.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3067 left arrow 2374

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较

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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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