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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
18.2
15.0
写入速度,GB/s
11.5
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2272
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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