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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
65
左右 49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
8.5
8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
65
读取速度,GB/s
8.0
8.5
写入速度,GB/s
7.3
5.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1981
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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