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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.9
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
18.2
15.7
写入速度,GB/s
11.5
14.9
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3368
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965516-477.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
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