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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
98
左右 71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
98
读取速度,GB/s
18.2
14.8
写入速度,GB/s
11.5
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
1447
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
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