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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
48
读取速度,GB/s
18.2
11.6
写入速度,GB/s
11.5
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2466
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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