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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
18.2
13.9
写入速度,GB/s
11.5
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2504
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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