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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

总分
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

总分
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 30
    左右 7% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 16.3
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 10600
    左右 2.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3067 left arrow 2761

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
内存RAM
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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Kingston 9905598-019.A00G 16GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
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