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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.7
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
15.9
写入速度,GB/s
11.5
11.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3014
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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