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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
23
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
23
读取速度,GB/s
17.4
18.2
写入速度,GB/s
12.2
14.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2830
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
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