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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
31
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
31
读取速度,GB/s
17.4
16.7
写入速度,GB/s
12.2
13.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3168
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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