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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
21
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.5
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
18
读取速度,GB/s
17.4
21.4
写入速度,GB/s
12.2
18.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3625
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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