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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
11.9
16.7
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3075
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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