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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
2,909.8
16.3
写入速度,GB/s
1,519.2
10.5
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2738
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
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