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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
36
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
36
读取速度,GB/s
17.4
15.0
写入速度,GB/s
12.2
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2653
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
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