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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
31
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
31
读取速度,GB/s
17.4
18.3
写入速度,GB/s
12.2
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3433
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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