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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
41
读取速度,GB/s
17.4
11.7
写入速度,GB/s
12.2
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2058
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
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