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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
33
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
33
读取速度,GB/s
17.4
15.9
写入速度,GB/s
12.2
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2847
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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