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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
34
读取速度,GB/s
17.4
16.2
写入速度,GB/s
12.2
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3135
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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