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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
58
读取速度,GB/s
4,241.0
18.3
写入速度,GB/s
1,950.7
8.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2181
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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