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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
39
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
39
读取速度,GB/s
17.4
15.7
写入速度,GB/s
12.2
12.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2958
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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