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AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
14
67
左右 -379% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
26.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
14
读取速度,GB/s
6.8
26.4
写入速度,GB/s
3.6
19.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
4362
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
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