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AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Pontuação geral
AMD AE34G1601U1 4GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
14
67
Por volta de -379% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
26.4
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.8
3.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
67
14
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
26.4
Velocidade de escrita, GB/s
3.6
19.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
998
4362
AMD AE34G1601U1 4GB Comparações de RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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