RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
67
Около -379% меньшая задержка
Выше скорость чтения
26.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.8
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
14
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
26.4
Скорость записи, Гб/сек
3.6
19.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
4362
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link