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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
65
左右 68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
65
读取速度,GB/s
17.4
17.0
写入速度,GB/s
12.2
9.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2058
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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