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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
27
读取速度,GB/s
17.4
15.2
写入速度,GB/s
12.2
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2537
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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