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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
25
读取速度,GB/s
17.4
15.4
写入速度,GB/s
12.2
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
1870
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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