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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
49
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
49
读取速度,GB/s
12.0
15.8
写入速度,GB/s
7.8
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2534
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
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