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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
52
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
37
读取速度,GB/s
9.9
15.1
写入速度,GB/s
8.2
11.9
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2804
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
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