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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
总分
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
16.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
18.6
20.0
写入速度,GB/s
16.6
17.0
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3938
3911
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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