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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
11.8
17.8
写入速度,GB/s
7.3
14.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3617
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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