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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
30
读取速度,GB/s
18.2
15.5
写入速度,GB/s
15.0
12.9
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3580
3044
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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