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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
比较
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
19.4
19.4
写入速度,GB/s
15.8
13.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3614
3364
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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RAM 1
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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