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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
比较
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
97
左右 70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
97
读取速度,GB/s
24.0
15.2
写入速度,GB/s
20.0
8.2
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
4156
1632
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Inmos + 256MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
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