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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
24
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
24.0
16.1
写入速度,GB/s
20.0
9.9
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
4156
2591
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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