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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
24.0
10.8
写入速度,GB/s
20.0
8.5
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
4156
2349
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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