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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 -108% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
26
读取速度,GB/s
4,967.4
14.4
写入速度,GB/s
1,973.5
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2846
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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