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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
比较
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
总分
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
37
读取速度,GB/s
14.9
15.6
写入速度,GB/s
13.5
12.0
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3679
2314
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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