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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
比较
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
总分
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
17.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
17.8
19.0
写入速度,GB/s
15.7
14.2
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3867
3651
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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