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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 21.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 16.2
    测试中的平均数值
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB 需要考虑的原因
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 49
    左右 -58% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 21.4
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 16.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3809

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
内存RAM