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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3809
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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