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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2130
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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