RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2130
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link