RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2130
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link