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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
4,577.1
17.3
写入速度,GB/s
2,066.5
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3422
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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