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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
4,577.1
18.1
写入速度,GB/s
2,066.5
15.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3733
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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