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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
4,577.1
20.7
写入速度,GB/s
2,066.5
16.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3768
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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