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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
4,577.1
14.7
写入速度,GB/s
2,066.5
11.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3007
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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