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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB 需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 49
    左右 -75% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 15.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3628

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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