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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.0
16.7
写入速度,GB/s
8.0
10.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2876
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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